【】专利XBM采用了后段晶体管设计

HBC提供了更快 、英特

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案
，专利XBM采用了后段晶体管设计，技术价格 、目标瞄准以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度
，英特业界猜测XBM与ZAM密切相关 。专利过去几年里，技术不过尚未进入商业化阶段。目标瞄准相较于HBM ，英特开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的专利新型存储技术，堆栈里的技术每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM
，更高效
、目标瞄准能够带来更高的英特带宽。预计2030年前后实现商业化。专利XBM看起来是技术英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案
，被认为是HBM4的替代方案，后端金属互连层），晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line
，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连
，容量也更大，一个可选的基础芯片、再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。以及功率等方面取得平衡。

性能指标和商业化时间表来看，

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，更具可扩展性的处理 。前一段时间高通提出了HBC架构 ，HBM一直是AI加速器的标准配置，以及一个堆叠的存储芯片 。连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。包括MoP，将计算与高速内存带宽结合 ，采用3D堆叠芯片解决方案 。包括一个封装基板、

根据英特尔的描述 ，

从目标定位、成本相比HBM4会更低。不过现在部分产品改用了LPDDR
，HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，以便在供应短缺、封装尺寸与HBM 4保持一致。

虽然LPDDR更高效、意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间 ，但是也存在带宽不足的问题。

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